AOT1N60 Transistor - N-MOSFET 600V 0,9A 41,7W (TO220) ELGPIM 11082026 12.33 Maks spænding: 200V

Maks spænding: 200V

brunTemperaturområde:-ved brug -40°C til +80°C-ved installation: -5°C til +52°CTekniske data:Mærkespænding: 300-500 VPrøvespænding: 2000 VBøjeradius: 10 x DMaterialekrav:Selvslukkende: Ja

den kan genkende og virke sammen med andre mærker af Matter-enheder og integreres i Matter-aktiverede platforme

Variabel fastgørelse eller Ø 22 mm fastgørelse

AOT1N60 Transistor - N-MOSFET 600V 0,9A 41,7W (TO220) ELGPIM 11082026 12.33 Maks spænding: 200VTekniske detaljer: Producent (varemrke): ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Type transistor: N MOSFET Polarisering: Unipolar Drain source spnding (VDS): 600V Kontinuerlig drain strm (ID): 0,9 A. Effektafledning: 41,7 W Hus: TO220 Gate source spnding (VGS): 30V On state modstand (RDS(on)): 9 ohm; Montering: Printhul Portladning: 6. 1nC Slags kanal: Forbedret Specifications: Manufacturer: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Type of transistor: N MOSFET Polarisation: